Intel ha anunciado el lanzamiento de una nueva gama de procesadores que contará, por primera vez, con un diseño de transistor en tres dimensiones denominado Tri-Gate. La nueva gama, que presenta procesadores de tamaño reducido, ha sido bautizada como Ivy Bridge, informa Europa Press.
Los transistores Tri-Gate representan un cambio en la estructura de transistor de dos dimensiones planas que ha impulsado, no sólo todos los ordenadores, teléfonos móviles y electrónica de consumo hasta la fecha, sino también los controles electrónicos en los coches, naves espaciales, aparatos electrodomésticos, dispositivos médicos y miles de dispositivos de uso común durante décadas, desde que Robert Noyce –cofundador de Intel– y Jack Kilby inventaran el circuito integrado a finales de los años 50.
"Los científicos e ingenieros de Intel han reinventado una vez más el transistor, esta vez utilizando la tercera dimensión", ha explicado el Presidente y CEO de Intel, Paul Otellini. "La configuración de todo el mundo será creada a partir de esta capacidad a medida que avance la Ley de Moore en los nuevos dominios", ha comentado Otellini.
La Ley de Moore es el pronóstico del otro fundador de Intel, Gordon Moore, que establece que aproximadamente cada dos años la densidad de los transistores se duplica, al tiempo que aumenta la funcionalidad y el rendimiento y disminuyen los costes. Se ha convertido en el modelo de negocio básico para la industria de los semiconductores durante más de 40 años. El nuevo sistema 3D rompe estos esquemas.
Los científicos reconocían desde hace tiempo los beneficios de una estructura en tres dimensiones. La clave para el avance es la capacidad de Intel para implementar su novedad en 3D de diseño de transistores Tri-gate en la fabricación de alto volumen, marcando el comienzo de la próxima era y abriendo la puerta a una nueva generación de innovaciones a través de una amplia gama de dispositivos.
Ahorro de energía y alto rendimiento
Según Intel, la tecnología 3D de Intel en los transistores Tri-gate permite fabricar chips que funcionen a menor voltaje con menores pérdidas, ofreciendo una combinación sin precedentes de mejorar el rendimiento y la eficiencia energética en comparación con transistores de toda la vida.
El modelo de procesador de Intel de 22 nanómetros con transistores 3-D Tri-gate proporcionará hasta un 37 por ciento de aumento en el rendimiento en baja tensión en comparación con los transistores de 32 nanómetros de Intel con transistores convencionales. Este ahorro significa que son ideales para su uso en pequeños dispositivos portátiles, que funcionan con menos energía.
"Las mejoras de rendimiento y ahorro de energía de los transmisores Intel 3D no se parecen a nada que hayamos visto antes", ha explicado el directivo de Intel, Mark Bohr. "Este logro va más allá de simplemente mantenerse al día con la Ley de Moore. Los beneficios del bajo consumo de energía superan con mucho lo que suelen verse en procesos de una generación a otra. Dará flexibilidad a los diseñadores de productos ", ha comentado Bohr.
Dispositivos más pequeños y potentes
Los transistores continúan desarrollándose buscando aumentar su energía en un diseño más pequeño, más barato y más eficiente, tal y como se espera según la Ley de Moore. Intel asegura haber conseguido todos estos objetivos con su nuevo sistema.
El transistor 3-D Tri-Gate reinventa el concepto de transistor. La tradicional puerta "plana" de dos dimensiones se sustituye por una aleta de silicio muy delgada en tres dimensiones que se eleva verticalmente. El control de la corriente se lleva a cabo mediante la aplicación de una "puerta" en cada uno de los tres lados del diseño, dos en cada lado y uno en la parte superior, en lugar de sólo una en la parte superior, como es el caso con el transistor plano 2-D.
Además de esta novedad, el control permite al transistor recibir mucha más corriente que fluye cuando el transistor se encuentra en el estado "encendido" (de rendimiento), y lo más cerca posible a cero cuando se encuentra en el estado "apagado" (para minimizar el consumo), permitiendo al transistor cambiar rápidamente entre los dos estados.
Para las generaciones de diseñadores futuras, esta arquitectura permitirá a los diseñadores seguir aumentando la altura de las aletas para obtener un rendimiento aún mayor y poder mejorar la ganancia de eficiencia energética.
"Este cambio en la estructura básica es un enfoque verdaderamente revolucionario que debe permitir que la Ley de Moore, y el ritmo histórico de la innovación, puedan variar", ha explicado el propio Moore.
Intel ha confirmado que ya trabaja en la fabricación de esta nueva gama de procesadores y espera tener disponibles las primeras unidades lo antes posible.